V. L. Bonc-Bruevic: Halbleiterphysik, Kartoniert / Broschiert

Inhaltsangabe

1. Einige Eigenschaften von Halbleitern.- 1.1. Transporterscheinungen in Halbleitern.- 1.2. Die Relaxationszeit.- 1.3. Elementare Theorie galvanomagnetischer Erscheinungen.- 1.4. Gemischte Leitfähigkeit.- 1.5. Einige experimentelle Ergebnisse.- 2. Chemische Bindung in Halbleitern.- 2.1. Kristallgitter.- 2.2. Die Elektronenkonfiguration der Atome.- 2.3. Typen der chemischen Bindung.- 2.4. Der Kristallaufbau einiger Halbleiter.- 2.5. Nichtkristalline Halbleiter.- 2.6. Die verbotene Zone der Energie.- 2.7. Halbleitereigenschaften und chemische Bindung.- 2.8. Halbleiter mit geringer Beweglichkeit.- 2.9. Fremdatome.- 2.10. Leerstellen und Zwischengitteratome.- 2.11. Versetzungen.- 3. Grundlagen der Bändertheorie des Festkörpers I. Das ideale Gitter.- 3.1. Grundannahmen.- 3.2. Die Wellenfunktion des Elektrons im periodischen Feld.- 3.3. Die Brillouin-Zone.- 3.4. Energiebänder.- 3.5. Die Methode der starken Bindung (LCAO-Methode).- 3.6. Dispersionsgesetz und Isoenergieflächen.- 3.7. Metalle und Halbleiter.- 3.8. Die effektive Masse.- 3.9. Die Bandstruktur einiger Halbleiter.- 4. Grundlagen der Bändertheorie des Festkörpers II. Kristalle in äußeren Feldern Realkristalle.- 4.1. Mittelwerte der Geschwindigkeit und der Beschleunigung eines Elektrons im Kristallgitter.- 4.2. Elektronen und Löcher.- 4.3. Klassische Theorie der Bewegung der Ladungsträger im statischen und homogenen Magnetfeld Diamagnetische Resonanz.- 4.4. Die Effektivmassenmethode.- 4.5. Das Energiespektrum eines Ladungsträgers im statischen homogenen Magnetfeld (Quantentheorie).- 4.6. Bewegung und Energiespektrum der Ladungsträger im statischen elektrischen Feld.- 4.7. Flache Störstellenniveaus in homöopolaren Kristallen.- 5. Die Statistik der Elektronen und Löcher in Halbleitern.- 5.1. Einführung.- 5.2. Die Verteilung der Quantenzustände in den Bändern.- 5.3. Die Fermi-Verteilung.- 5.4. Die Ladungsträgerkonzentrationen in den Bändern.- 5.5. Nichtentartete Halbleiter.- 5.6. Der Fall starker Entartung.- 5.7. Die Zustandsdichtemasse.- 5.8. Die Zustandsdichte im quantisierenden Magnetfeld.- 5.9. Die Konzentrationen von Elektronen und Löchern in lokalisierten Niveaus. Einfach geladene Zentren.- 5.10. Mehrfach geladene Zentren.- 5.11. Die Gibbssche Verteilung.- 5.12. Spezialfälle.- 5.13. Die Bestimmung der Lage des Fermi-Niveaus.- 5.14. Das Fermi-Niveau im Eigenhalbleiter.- 5.15. Halbleiter mit Störstellen nur eines Typs.- 5.16. Die gegenseitige Kompensation von Donatoren und Akzeptoren.- 5.17. Kompensierte Halbleiter.- 5.18. Die Bestimmung der Energieniveaus von Störstellen.- 6. Kontaktphänomene.- 6.1. Potentialbarrieren.- 6.2. Die Stromdichte und die Einstein-Relation.- 6.3. Gleichgewichtsbedingungen für im Kontakt befindliche Körper.- 6.4. Die thermische Austrittsarbeit.- 6.5. Kontaktpotentiale.- 6.6. Der Verlauf der Elektronenkonzentration und des Potentials in der Raumladungsschicht.- 6.7. Die Abschirmlänge.- 6.8. Die Anreicherungsrandschicht eines Kontaktes für den stromlosen Fall.- 6.9. Die Verarmungsrandschicht eines Kontaktes.- 6.10. Raumladungsbegrenzte Ströme.- 6.11. Gleichrichtung am Metall-Halbleiter-Kontakt.- 6.12. Die Diffusionstheorie.- 6.13. Vergleich mit dem Experiment.- 7. Elektronen und Löcher als Nichtgleichgewichtsladungsträger.- 7.1. Niehtgleichgewichtsladungsträger.- 7.2. Die Lebensdauer von Nichtgleichgewichtsladungsträgern.- 7.3. Kontinuitätsgleichungen.- 7.4. Die Photoleitfähigkeit.- 7.5. Das Quasi-Fermi-Niveau.- 7.6. p-n-Übergänge.- 7.7. Der Nachweis von Nichtgleichgewichtsladungsträgern.- 7.8. Ambipolare Diffusion und ambipolare Ladungsträgerdrift.- 7.9. Diffusions- und Driftlängen.- 7.10. n+-n- und p+-p-Übergänge.- 8. Gleichrichtung und Verstärkung von Wechselströmen mit Hilfe von p-n-Übergängen.- 8.1. Statische Strom-Spannungs-Charakteristik eines p-n-Übergangs.- 8.2. p-n-Übergang bei angelegter Wechselspannung.- 8.3. Tunneleffekte in p-n-Übergängen Tunneldioden.- 8.4. Der Bipolartransistor.- 8.

Klappentext

(Wiss. Redaktion) von zahlreichen Fachwissenschaftlern. Übersetzt aus dem Russischen unter Leitung von Enderlein, R.