Heinrich Schlangenotto: Semiconductor Power Devices, Gebunden
Semiconductor Power Devices
- Volume 1: Physics, Technology and Design of Power Devices
Sie können den Titel schon jetzt bestellen. Versand an Sie erfolgt gleich nach Verfügbarkeit.
- Verlag:
- Springer Nature Switzerland AG, 09/2026
- Einband:
- Gebunden
- Sprache:
- Englisch
- ISBN-13:
- 9783032156952
- Artikelnummer:
- 12840393
- Umfang:
- 565 Seiten
- Ausgabe:
- Third Edition 2026
- Erscheinungstermin:
- 13.9.2026
- Hinweis
-
Achtung: Artikel ist nicht in deutscher Sprache!
Klappentext
This new edition of the book Semiconductor Power Devices is now divided into two volumes. This first volume focuses on the Physics, Technology, and Design of Power Devices. It provides a comprehensive explanation of the physical principles essential for understanding modern power devices. The complementation of the classical pn-theory regarding high-injection behavior and the description of emitters by H. Schlangenotto is now rounded off, displayed in newly written Sections. For IGBTs, new structures with strong carrier confinement are added. New are special chapters on SiC devices and GaN devices. In the SiC chapter, the bipolar mode of the MOSFET body diode and its reverse recovery is discussed for the first time.
The edition provides extended content offering significant updates compared to previous editions.
Biografie (Josef Lutz)
Professor Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeitete er bei Semikron Elektronik in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Univesität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstandes des Zfm, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM und des Programmkomitees der ISPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt.